Samsung Electronics: आज Samsung Electronics ने AI बाजार को ध्यान में रखते हुए अपनी नई BV-NAND (Bonding V-NAND) मेमोरी तकनीक पेश की। कंपनी ने इसे कैलिफोर्निया में आयोजित Future of Memory and Storage (FMS) सम्मेलन में पेश किया।
Samsung की नई AI मेमोरी चिप टेक्नोलॉजी से स्टोरेज और परफॉर्मेंस दोनों बेहतर होंगे, जानिए BV-NAND और zHBM तकनीक की पूरी जानकारी।
Samsung की नई AI Memory में क्या है खास?
Samsung की नई BV-NAND तकनीक में 400 से अधिक लेयर्स का इस्तेमाल किया गया है। कंपनी के अनुसार, इसमें नई वेफर बॉन्डिंग आर्किटेक्चर दी गई है, जिससे मेमोरी की क्षमता और प्रदर्शन दोनों बेहतर हुए हैं। Samsung का दावा है कि नई तकनीक उसकी पिछली V9 NAND की तुलना में करीब 58% अधिक मेमोरी डेंसिटी देती है। इसके साथ ही Read, Write और Input/Output प्रदर्शन में भी सुधार हुआ है।
AI के लिए क्यों अहम है यह तकनीक?
AI सिस्टम अब केवल बड़े भाषा मॉडल को ट्रेन करने तक सीमित नहीं हैं। अब इनका इस्तेमाल रियल-टाइम जवाब देने और बड़े डेटा को तेजी से प्रोसेस करने में भी हो रहा है। ऐसे में अधिक क्षमता और ऊर्जा बचाने वाली मेमोरी की मांग लगातार बढ़ रही है। NAND Flash Memory का उपयोग स्मार्टफोन, फोटो, वीडियो, ऐप्स और अन्य डिजिटल डेटा को स्टोर करने के लिए किया जाता है।
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zHBM और zNAND-O की भी दिखाई झलक
Samsung ने अपनी नई zHBM और zNAND-O तकनीक के कॉन्सेप्ट मॉडल भी पेश किए। कंपनी का कहना है कि zHBM में मेमोरी को AI प्रोसेसर के ऊपर वर्टिकली रखा जाता है। इससे डेटा कम दूरी तय करता है और स्पीड के साथ ऊर्जा दक्षता भी बढ़ती है। कंपनी के मुताबिक, यह तकनीक पारंपरिक HBM5 की तुलना में 10 गुना तक अधिक मेमोरी डेंसिटी, 3 गुना बेहतर ऊर्जा दक्षता और 50% से ज्यादा कम थर्मल रेजिस्टेंस देने की क्षमता रखती है।
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Samsung का मानना है कि AI की बढ़ती मांग आने वाले वर्षों में हाई-कैपेसिटी मेमोरी की जरूरत को और बढ़ाएगी। नई BV-NAND और zHBM तकनीक कंपनी को AI चिप बाजार में अपनी बढ़त मजबूत करने में मदद कर सकती है।
